microSD Industrial microSD R1
R1 microSD闪存卡采用原厂高质量的SLC芯片，并经过严格的环境测试。 与page mapping技术一起使用，可以更快地提高每秒几十兆位的随机读取和写入速度，从而更有效地处理碎片文件的随机写入。固件技术的增值功能也大量降低了写入放大系数（WAF），延长了产品的使用寿命和耐用性。此外，客制化固件优化工具，如写入保护，内容储存保护，以确保数据安全和完整。
与最新的SD3.0接口兼容，宇瞻R1系列microSD闪存卡的容量为1至8GB，尽管尺寸较小但展现优越的性能，同时以最低的功耗运行。
microSD
Industrial microSD R1
符合SD 3.0规范
支持S.M.A.R.T.技术
Page mapping
支持SD模式与SPI模式
全球平均抹写技术与区块管理
读取干扰管理
低功耗
简介
R1 microSD闪存卡采用原厂高质量的SLC芯片，并经过严格的环境测试。 与page mapping技术一起使用，可以更快地提高每秒几十兆位的随机读取和写入速度，从而更有效地处理碎片文件的随机写入。固件技术的增值功能也大量降低了写入放大系数（WAF），延长了产品的使用寿命和耐用性。此外，客制化固件优化工具，如写入保护，内容储存保护，以确保数据安全和完整。
与最新的SD3.0接口兼容，宇瞻R1系列microSD闪存卡的容量为1至8GB，尽管尺寸较小但展现优越的性能，同时以最低的功耗运行。
规格
型号Industrial microSD R1介面SD3.0板型microSDNAND 颗粒SLC容量SD:1GB~2GB;SDHC:4~8GB读取速度(MB/sec)Up to 34写入速度(MB/sec)Up to 28ECC侦错功能Built-in 43-bit per 1K bytes BCH ECC最高作业温度(°C)-40 ~ + 85储存温度(°C)-40 ~ + 100冲击耐力(Operating) 1,500G, 0.5ms震动耐力Operating: 7.69(Grms), 20~2000(Hz)/random (comply with MIL-STD-810G)Non-operating: 4.02(Grms), 15~2000(Hz)/random (comply with MIL-STD-810G)电压3.3 V ± 5%用电量"Active mode: 115 mA & Idle mode: 265 uA尺寸15 x 11 x 1 (mm)MTBF (小时)>3,000,000技术特点Page Mapping / S.M.A.R.T. / 宽温 / 内容预加载 / 擦除/ 写保护应用国防 / 博弈游戏 / 服务器与网通 / 交通运输
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