抗硫化 DDR3 抗硫化 UDIMM
抗硫化内存模块主要应用于暴露在高污染环境中的设备，如车载、军事、医疗、运输、网通与户外电子产品等领域，以及使用于高浓度硫磺气体区域，如火山、温泉、与采矿区电子设备。
由于硫气体容易与电阻的端电极银材料化合产生硫化银、硫化银不导电，随着电阻被硫化，电阻的阻值逐渐增加，直至最后变成开路。为解决电阻硫化问题，宇瞻开发全球第一款适用于含硫环境的抗硫化内存模块，此创新研发设计亦已取得专利。
抗硫化
DDR3 抗硫化 UDIMM
On-DIMM温度传感器: 无
封装: 240针脚插槽双列直插式记忆模块 (DIMM)
PCB: 高30.0 mm, 针脚间距1.0 mm (pin)
电源: VDD: 1.35V (+0.1V ~ -0.067V) / 1.5V(± 0.075V)
八个内部储存库并行运作 (组件)
支持自动预充电选项给每个突发存取
支持自动更新/自行更新
更新周期: 7.8 ㎲ at 0℃≤ TC ≤ +85℃
抗硫化
敷形涂料/底部填充（可选）
简介
抗硫化内存模块主要应用于暴露在高污染环境中的设备，如车载、军事、医疗、运输、网通与户外电子产品等领域，以及使用于高浓度硫磺气体区域，如火山、温泉、与采矿区电子设备。
由于硫气体容易与电阻的端电极银材料化合产生硫化银、硫化银不导电，随着电阻被硫化，电阻的阻值逐渐增加，直至最后变成开路。为解决电阻硫化问题，宇瞻开发全球第一款适用于含硫环境的抗硫化内存模块，此创新研发设计亦已取得专利。
规格
模块类型抗硫化UDIMM内存技术DDR3频率1066/1333/1600容量1G/2G/4G/8G电压1.5v/1.35vPin数240-Pin宽72-Bit高1.18"操作温度(°C)TC=0℃ to 85℃技术特点热传感器 / 30µ金手指应用国防 / 医疗照护 / 服务器与网通 / 交通运输
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